半導體激光器的使用壽命問(wèn)題一直為人們所關(guān)注：

1、半導體激光器的鏡面是用解理工藝形成的，鏡面本身受到環(huán)境條件影響而污染也會(huì )也會(huì )導致激光器性能退化。

2、半導體激光器的管芯極小，工作電流密度和光功率密度很高，而作為激光物質(zhì)的半導體單晶材料又較容易發(fā)生缺陷，這些缺陷在電和光的作用下逐漸發(fā)展，從而引起器件性能的退化。

3、管芯焊接也是關(guān)鍵技術(shù)，管芯焊在熱沉之上，而有源去距離熱沉只有幾微米；半導體激光器工作會(huì )發(fā)熱，如果焊料太多，受熱時(shí)會(huì )發(fā)生緩慢的攀移，使半導體激光器發(fā)生短路，導致激光器退化。

4、隨著(zhù)工作時(shí)間的延長(cháng)，激光器的閾值電流會(huì )緩慢增加，從而導致激光器退化。

此次的半導體激光打標機可使藍紫色激光產(chǎn)生脈沖式振動(dòng)。輸出功率的時(shí)間平均值只有300m～400mW，脈沖寬度縮短到了3ps，具有脈沖的峰值輸出功率高達100W的特點(diǎn)。
通過(guò)鏡頭將這種大輸出功率激光進(jìn)行聚光后，在其焦點(diǎn)上會(huì )出現“多光子吸收”的非線(xiàn)形現象，即使是透明的光盤(pán)，也只有該部分不透明。這是指兩個(gè)或者兩個(gè)以上的光子基本聚集于一點(diǎn)后，能夠超過(guò)1個(gè)光子無(wú)法超過(guò)的帶隙能量的現象。結果材料在吸收光后會(huì )發(fā)生化學(xué)變化，在光盤(pán)上形成一個(gè)尺寸為280nm×350nm的“空孔”，利用這個(gè)空孔便可記錄信息。信息記錄的層深僅通過(guò)控制鏡頭便可改變，因此，由單一材料構成的光盤(pán)可實(shí)現數十層～100層的信息記錄。